測試主機
GaN
Power Device
QT-8400由測試主機與測試站Test Kit組成，
其中Test Kit分為兩種： Power Device Test Kit & GaN Test Kit。
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Power Device Test Kit
面向MOSFET/SIC、二極體、三極管等CP測試需求的 Power Device Test Kit.
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GaN Test Kit
面向氮化鎵測試需求的 GaN Test Kit.
站坐快速切換
用戶體驗
* 已申請專利
站坐快速切換
使用者體驗
* 已申請專利
QT-8400 GaN |
QT-8400 D |
測試範圍專用於氮化鎵動靜態電參數測試 |
測試範圍專用於 MOSFET/SIC 、二極體、三極管、IGBT等 CP測試。 |
參數指標
懸浮 V/I 源 |
參數指標
懸浮 V/I 源 |
平行測試數2/4/8/16 Site |
平行測試數2/4/8/16 Site |
可擴充動態模組
LCR測試模組（CG） |
可擴充動態模組
雪崩測試模組（UIS、EAS） |
可擴充高壓/直流模組最高可擴展8KV, 2KA |
可擴充高壓/直流模組最高可擴展8KV, 2KA |
精準測量Power Device Test Kit內建精密測量電路，實現nA級和mΩ級的精準測量。 |
精準測量GaN Test Kit內建精密測量電路，實現nA級和mΩ級的精準測量。 |
內建示波器圖
AWG編輯器
專為測試&生產而設計
* 已申請專利
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中國廣東省佛山市南海國家高新區新光源產業基地光明大道16號 |
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+86 757 83207313 (銷售) |
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+86 757 83208786 (銷售) |
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info@tingsblog.com |
